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（d-f）是对应于（a-c）的CIE色坐标，大润插图显示了EL的颜色演变。带有−NH2的掺杂阳离子被引入钙钛矿晶格中，汰渍在N−H掺杂剂和Pb−X晶格之间形成N−H∙∙∙X氢键，可以抑制卤离子的迁移，从而稳定颜色漂移。

混合卤素铅卤钙钛矿由于其带隙和发射颜色的宽可调谐性，清邀在未来电致发光（EL）器件中展现出了广阔的应用前景。新年把（d）器件的电流密度-电压-亮度特性。爱带图5.依赖于N−H∙∙∙X策略的EL和CIE特性。

本文要点：相约1.选取胍（GA）和甲脒（FA）作为胺基（−NH2）掺杂源，相约胺基能够与钙钛矿晶格上的卤素形成N−H∙∙∙X（X= Cl或Br）相互作用，理论和实验研究表明，该胺基掺杂策略增加了卤素离子的迁移能垒，从而抑制卤素离子的迁移。基于（a）CsPbBr1.5Cl1.5 QDs，大润（b）CsPbBr2ClQDs和（c）CsPbBr1.8Cl1.2多晶薄膜的蓝光器件在不同电压下的EL光谱。

汰渍图2.N−H∙∙∙X掺杂策略稳定蓝光钙钛矿QDs发光颜色。

清邀图4. PeLEDs依赖于N−H∙∙∙X策略的EL稳定性机制及性能分析。要开发出这样综合性能优异的材料，新年把对材料专家来说，挑战难度非常大。

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